A、實(shí)驗(yàn)應(yīng)在1小時(shí)內(nèi)做完
B、試驗(yàn)段長度應(yīng)為2米
C、實(shí)驗(yàn)前應(yīng)做硬度試驗(yàn)
D、最終的總應(yīng)變越小越好
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A、錨頭端預(yù)應(yīng)力筋斷裂
B、滑絲
C、內(nèi)縮值偏大
D、夾片斷裂
A、鋼質(zhì)錐塞式
B、預(yù)應(yīng)力錐塞式
C、熱鑄錐塞式
D、冷鑄錐塞式
A、焊接預(yù)應(yīng)力筋后應(yīng)加熱
B、只能用于預(yù)應(yīng)力構(gòu)件內(nèi)部
C、焊接應(yīng)在冷拉之前進(jìn)行
D、不能和鋼絞線直接連接
A、第一層網(wǎng)片與墊板之間距離宜小于25mm
B、網(wǎng)片之間距離不宜過大
C、網(wǎng)片筋中的鋼筋間距不宜過大
D、網(wǎng)片筋在錨固區(qū)使用
A、內(nèi)縮量試驗(yàn)
B、錨固端摩阻損失
C、靜載試驗(yàn)
D、張拉錨固工藝試驗(yàn)
最新試題
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
下列是晶體的是（）。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）