A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
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A、有防止腐蝕和機械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護(hù)層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截斷
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實驗?zāi)芡耆从冲^具性能
D、錨具外露端應(yīng)有防護(hù)措施
A、實驗應(yīng)在1小時內(nèi)做完
B、試驗段長度應(yīng)為2米
C、實驗前應(yīng)做硬度試驗
D、最終的總應(yīng)變越小越好
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
PN結(jié)的基本特性是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
載流子的擴(kuò)散運動產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列哪個不是單晶常用的晶向()
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。