A、P溝道增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
B、增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
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A、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
B、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
A、只能通高頻信號(hào)
B、零點(diǎn)漂移
C、只能通直流信號(hào)
D、只能通交流信號(hào)
A、直流信號(hào)和交流信號(hào)
B、直流信號(hào)
C、直流信號(hào)和變化緩慢的交流信號(hào)
D、交流信號(hào)
A、直流信號(hào)和交流信號(hào)
B、直流信號(hào)
C、直流信號(hào)和變化緩慢的交流信號(hào)
D、交流信號(hào)
A、α=1+β/1-β
B、α=β/1+β
C、α=1-β/1+β
D、α=1+β/β
最新試題
關(guān)于回路方程,下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
?當(dāng)級(jí)聯(lián)一個(gè)低通濾波器和一個(gè)高通濾波器得到一個(gè)帶通濾波器時(shí),低通濾波器的截止頻率必須()。
下列電路變量中,描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
流過(guò)電容的電流與()成正比。
在分析阻容耦合式放大電路過(guò)程中,畫(huà)直流通路通路時(shí),電容應(yīng)作()處理。
如圖所示,描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
?與單門(mén)限比較器相比,以下對(duì)遲滯比較器的描述不合理的是()。
?以下參數(shù)為運(yùn)放直流參數(shù)的是()。
?電路如圖所示,已知R為一個(gè)0.5k~100kΩ的可調(diào)電位器,要求Avd在1~100.5V/V范圍內(nèi)變化,假設(shè)第2級(jí)增益為0.5V/V,則()。
在單級(jí)共射極放大電路中,如輸入波形為正弦波,而輸出電壓波形則出現(xiàn)了底部被削平的現(xiàn)象,這種失真是()失真。