單項(xiàng)選擇題集成運(yùn)放的開(kāi)環(huán)電壓增益非常高,這些參數(shù)接近理想化的程度。()

A、輸入電阻很大,輸出電阻很小
B、輸入電阻輸出電阻均很大
C、輸入電阻很小,輸出電阻很大
D、輸入電阻輸出電阻均很小


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1.單項(xiàng)選擇題場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為兩大類,它們的類型和簡(jiǎn)稱是()

A、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱JFET
B、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱JFET
C、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JGFET
D、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JGFET

2.單項(xiàng)選擇題場(chǎng)效應(yīng)晶體管與晶體三極管比較,其突出優(yōu)點(diǎn)是()

A.噪聲低、輸入阻抗低
B.熱穩(wěn)定性好、輸入阻抗低
C.噪聲低、輸入阻抗高
D.噪聲低、熱穩(wěn)定性差

3.單項(xiàng)選擇題絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為()

A、P溝道增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
B、增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

4.單項(xiàng)選擇題結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為()

A、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
B、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

5.單項(xiàng)選擇題直接耦合多級(jí)放器存在現(xiàn)象()。

A、只能通高頻信號(hào)
B、零點(diǎn)漂移
C、只能通直流信號(hào)
D、只能通交流信號(hào)

最新試題

?與單門(mén)限比較器相比,以下對(duì)遲滯比較器的描述不合理的是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

電路在激勵(lì)(外界輸入)或儲(chǔ)能元件的初始狀態(tài)作用下產(chǎn)生的響應(yīng)有三種,分別是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

下列電路變量中,描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

電路如圖所示,運(yùn)算放大器的飽和電壓為±12V,雙向穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為±6V,設(shè)正向壓降為零,當(dāng)輸入電壓Vi=2sinωtV時(shí),輸出電壓VO應(yīng)為()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

如圖所示,描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?當(dāng)級(jí)聯(lián)一個(gè)低通濾波器和一個(gè)高通濾波器得到一個(gè)帶通濾波器時(shí),低通濾波器的截止頻率必須()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

?關(guān)于正弦波振蕩電路,下列表述不合適的是()。

題型:多項(xiàng)選擇題

關(guān)于直流電流,下列描述正確的一項(xiàng)是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

關(guān)于節(jié)點(diǎn)分析法,下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題

已知,某一正弦交流電路中的電壓為u(t)=156sin(377t+15°)V,則下列描述有誤的一項(xiàng)是()。

題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題