A、輸入電阻很大,輸出電阻很小
B、輸入電阻輸出電阻均很大
C、輸入電阻很小,輸出電阻很大
D、輸入電阻輸出電阻均很小
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱JFET
B、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱JFET
C、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JGFET
D、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管JGFET
A.噪聲低、輸入阻抗低
B.熱穩(wěn)定性好、輸入阻抗低
C.噪聲低、輸入阻抗高
D.噪聲低、熱穩(wěn)定性差
A、P溝道增強(qiáng)型效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
B、增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管和耗盡型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
A、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
B、P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
C、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
D、N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和P溝道型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管
A、只能通高頻信號(hào)
B、零點(diǎn)漂移
C、只能通直流信號(hào)
D、只能通交流信號(hào)
最新試題
?與單門(mén)限比較器相比,以下對(duì)遲滯比較器的描述不合理的是()。
電路在激勵(lì)(外界輸入)或儲(chǔ)能元件的初始狀態(tài)作用下產(chǎn)生的響應(yīng)有三種,分別是()。
下列電路變量中,描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
電路如圖所示,運(yùn)算放大器的飽和電壓為±12V,雙向穩(wěn)壓管的穩(wěn)定電壓為±6V,設(shè)正向壓降為零,當(dāng)輸入電壓Vi=2sinωtV時(shí),輸出電壓VO應(yīng)為()。
如圖所示,描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
?當(dāng)級(jí)聯(lián)一個(gè)低通濾波器和一個(gè)高通濾波器得到一個(gè)帶通濾波器時(shí),低通濾波器的截止頻率必須()。
?關(guān)于正弦波振蕩電路,下列表述不合適的是()。
關(guān)于直流電流,下列描述正確的一項(xiàng)是()。
關(guān)于節(jié)點(diǎn)分析法,下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是()。
已知,某一正弦交流電路中的電壓為u(t)=156sin(377t+15°)V,則下列描述有誤的一項(xiàng)是()。