單項(xiàng)選擇題動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元是靠（）的功能來保存和記憶信息的。
A、自保持
B、柵極存儲(chǔ)電荷
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1.單項(xiàng)選擇題一片容量為1024字節(jié)×4位的存儲(chǔ)器，表示有（）個(gè)存儲(chǔ)單元。
A、1024
B、4
C、4096
D、8
2.單項(xiàng)選擇題利用電容的充電來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，由于電路本身總有漏電，因此需定期不斷補(bǔ)充充電（刷新）才能保持其存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)的是（）
A、靜態(tài)RAM的存儲(chǔ)單元
B、動(dòng)態(tài)RAM的存儲(chǔ)單元
最新試題
關(guān)于電壓源和電流源，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于電路模型，下列說法錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
電路如圖所示，則（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?與單門限比較器相比，以下對(duì)遲滯比較器的描述不合理的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于基爾霍夫電流定律（KCL），下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
關(guān)于直流電流，下列描述正確的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?電路如圖所示，已知R為一個(gè)0.5k~100kΩ的可調(diào)電位器，要求Avd在1~100.5V/V范圍內(nèi)變化，假設(shè)第2級(jí)增益為0.5V/V，則（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
?下列對(duì)集成運(yùn)放失調(diào)參數(shù)描述合理的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于直流電路，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題