問答題現(xiàn)有（1024B×4）RAM集成芯片一個(gè)，該RAM有多少個(gè)存儲單元？有多少條地址線？該RAM含有多少個(gè)字？其字長是多少位？訪問該RAM時(shí)，每次會選中幾個(gè)存儲單元？
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題在讀寫的同時(shí)還需要不斷進(jìn)行數(shù)據(jù)刷新的是（）存儲單元。
A、動態(tài)
B、靜態(tài)
2.單項(xiàng)選擇題利用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器存儲信息的RAM叫（）RAM。
A、動態(tài)
B、靜態(tài)
3.單項(xiàng)選擇題動態(tài)存儲單元是靠（）的功能來保存和記憶信息的。
A、自保持
B、柵極存儲電荷
4.單項(xiàng)選擇題一片容量為1024字節(jié)×4位的存儲器，表示有（）個(gè)存儲單元。
A、1024
B、4
C、4096
D、8
5.單項(xiàng)選擇題利用電容的充電來存儲數(shù)據(jù)，由于電路本身總有漏電，因此需定期不斷補(bǔ)充充電（刷新）才能保持其存儲的數(shù)據(jù)的是（）
A、靜態(tài)RAM的存儲單元
B、動態(tài)RAM的存儲單元
最新試題
電路如圖所示，則（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于節(jié)點(diǎn)分析法，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列基爾霍夫定律的數(shù)學(xué)形式錯(cuò)誤的是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
?直流穩(wěn)壓電路中，下列各部分功能說法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
關(guān)于基爾霍夫電流定律（KCL），下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于電路模型，下列說法錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
一階動態(tài)電路中，下列關(guān)于換路定則表述最合理的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
關(guān)于電壓源和電流源，下列描述錯(cuò)誤的一項(xiàng)是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
為了提高感性負(fù)載正弦穩(wěn)態(tài)交流電路中總電路的功率因數(shù)，可以采取的措施為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
在分析阻容耦合式放大電路過程中，畫直流通路通路時(shí)，電容應(yīng)作（）處理。
題型：填空題