單項(xiàng)選擇題像管中（）的出現(xiàn)和使用，成為第三代像管出現(xiàn)的標(biāo)志性部件。

A.負(fù)電子親和勢(shì)陰極；
B.電子光學(xué)系統(tǒng)；
C.微通道板MCP；
D.光纖面板；


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1.單項(xiàng)選擇題為了使雪崩光電二極管正常工作，應(yīng)在其P-N結(jié)上加（）。

A.高反向偏壓
B.低正向偏壓
C.高正向偏壓
D.低反向偏壓

2.單項(xiàng)選擇題最安全的成像是（）。

A.CT
B.IR
C.X-Ray
D.THz

3.單項(xiàng)選擇題硅光電二極管與硅光電池相比，前者比后者不正確的說(shuō)法是（）

A.襯底摻雜濃度高；
B.電阻率高；
C.光敏面小；
D.前者反偏后者無(wú)偏；

4.單項(xiàng)選擇題光纖的數(shù)值孔徑與（）有關(guān)。

A.纖芯的直徑
B.包層的直徑
C.相對(duì)折射率差
D.光的工作波長(zhǎng)

5.單項(xiàng)選擇題下列像管的性能指標(biāo)（）的值越高，像管的成像質(zhì)量越好。

A.光電轉(zhuǎn)換特性；
B.等效背景照度；
C.畸變；
D.暗電流；