封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

刻蝕過程中聚合物形成的來源有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

三光檢查主要是檢查芯片粘貼和引線焊接之后有無各種廢品。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

光刻工藝的特點包括（）。