濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過(guò)程中的主要污染物？（）

進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

消除鳥(niǎo)嘴效應(yīng)的方法有（）。

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。