濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

常壓的硅外延方法有（）。

化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個(gè)？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

注入損傷與注入離子的以下哪個(gè)參數(shù)無(wú)關(guān)？（）

新的平坦化方法有哪幾個(gè)？（）

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。