刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

摻雜后，退火的目的是（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。

封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

下面哪道工序主要是針對(duì)晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）