常壓的硅外延方法有（）。

光刻工藝的特點包括（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結合來實現(xiàn)圖形的轉移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

目前制備SOI材料的主流技術有幾種？（）

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

如下哪個選項不是半導體器件制備過程中的主要污染物？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）