說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。