說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

MOS場效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀70年代得到了廣泛的接受，從那時起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來區(qū)別。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

規(guī)定版圖幾何設(shè)計規(guī)則的意義是什么？