試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

設(shè)計(jì)一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

編寫DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。