下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

可用作硅片的研磨材料是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。