下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）