與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數，它與（）。

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列是晶體的是（）。 

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）