下列是晶體的是（）。 

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）

PN結(jié)的基本特性是（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。