懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。