直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）