一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。

下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

下列是晶體的是（）。 

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）

最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。