改良西門子法的顯著特點不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）