懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

硅片拋光在原理上不可分為（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）