填空題抗氧化鋼中常加入的合金元素有()等,這主要是因為當(dāng)這些合金元素在鋼基體中的含量達(dá)到一定量時能在鋼的表面形成氧化膜。
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雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
題型:單項選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項選擇題
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題