如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

PN結(jié)的基本特性是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

下列是晶體的是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

可用作硅片的研磨材料是（）