如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列是晶體的是（）。 

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

影響單晶內雜質數量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

可用作硅片的研磨材料是（）