表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

PN結(jié)的基本特性是（）

下列是晶體的是（）。 

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。