下列哪個不是單晶常用的晶向（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

可用作硅片的研磨材料是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）