單項(xiàng)選擇題砌體抗壓強(qiáng)度的現(xiàn)場檢測技術(shù)不包括（）。
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
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1.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法讀取碳化深度應(yīng)精確到（）。
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
2.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法砂漿為（）個(gè)測點(diǎn)，每個(gè)測點(diǎn)連續(xù)彈擊三次，讀取最后一次的回彈值作為該點(diǎn)的回彈值。
A.12
B.10
C.8
D.16
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈儀的鋼砧率定值為（）。
A.74±2
B.72±2
C.78±2
D.80±2
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法不適用于以下磚砌體（）。
A.燒結(jié)普通磚
B.砌體多孔磚砌體
C.遭受火災(zāi)后的砌體
5.單項(xiàng)選擇題目前，在現(xiàn)場對(duì)砌體強(qiáng)度進(jìn)行檢測時(shí)，以下哪種方法不適合（）。
A.回彈法
B.扁式法
C.鉆芯法
D.原位軸壓法
最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
題型：單項(xiàng)選擇題