單項選擇題推出法所用推出儀的主要技術(shù)指標中額定行程為（）。
A.60mm
B.80mm
C.100mm
D.120mm
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1.單項選擇題推出法選擇測點時被推丁磚下的水平灰縫厚度應(yīng)為（）。
A.10-14mm
B.8-12mm
C.6-10mm
D.4-8mm
2.單項選擇題推出法適用于推定（）厚燒結(jié)普通磚、燒結(jié)多孔磚的砌筑砂漿強度。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
3.單項選擇題扁頂法測試墻體的受壓工作應(yīng)力時，以下哪個要求不正確（）。
A.使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標上測量砌體變形的初讀數(shù)時，應(yīng)測量3次，并應(yīng)取其平均值
B.槽的四周應(yīng)清理平整，并應(yīng)除去灰渣
C.不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進行下一步測試工作
D.開槽時不應(yīng)操作測點部位的墻體及變形測量腳標
4.單項選擇題原位雙剪法當(dāng)采用釋放時間上部壓應(yīng)力σ的測試方案時，應(yīng)掏空試件頂部（）之上的一條水平縫。
A.5皮磚
B.4皮磚
C.3皮磚
D.2皮磚
5.單項選擇題原位雙剪法所用原位剪切儀主要技術(shù)指標中示值相對誤差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
最新試題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題