單項選擇題位雙剪法檢測時，下列哪個部位可以布設測點（）。
A.門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)
B.后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C.完整墻體中部
D.獨立磚柱
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1.單項選擇題砂漿回彈法測試碳化深度時應用濃度為（）的酚酞酒精溶液。
A.1%-2%
B.2%-3%
C.3%-4%
D.4%-5%
2.單項選擇題砂漿片試件的剪切測試，應對試件勻速連續(xù)施加荷載，加荷速度不宜大于（），直至試件破壞。
A.8N/s
B.10N/s
C.15N/s
D.20N/s
3.單項選擇題砂漿片剪切法所用的砂漿測強儀上下刀片中心間距為（）。
A.1.8±0.05mm
B.2.0±0.05mm
C.2.2±0.05mm
D.2.4±0.05mm
4.單項選擇題筒壓法試樣加載時應均勻加載至規(guī)定的筒壓荷載值，水泥砂漿，石粉砂漿的筒壓荷載值應為（）。
A.5kN
B.10kN
C.15kN
D.20kN
5.單項選擇題筒壓法取樣后使用手錘擊碎樣品時，應篩取5~15mm的砂漿顆粒約（），烘干后冷卻至室溫備用。
A.3000g
B.2500g
C.2000g
D.1500g
最新試題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。
題型：單項選擇題
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）
題型：單項選擇題
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項選擇題
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。
題型：單項選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題