一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

硅片拋光在原理上不可分為（）

如果雜質既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質稱為（）。

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）