單項(xiàng)選擇題點(diǎn)荷法檢測砌筑砂漿強(qiáng)度時(shí),測試用的壓力試驗(yàn)機(jī),最小讀數(shù)盤宜為()以內(nèi)。
A.50kN
B.60kN
C.80kN
D.100kN
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題點(diǎn)荷法檢測時(shí),每個(gè)測點(diǎn)處,宜取出()個(gè)砂漿大片。
A.2
B.3
C.4
D.5
2.單項(xiàng)選擇題原位雙剪法檢測時(shí),對于測試步驟以下說法不正確的是()。
A.測試時(shí),應(yīng)將剪切儀主機(jī)放入開鑿好的孔洞中,并應(yīng)使儀器的承壓板與試件的磚塊頂面重合
B.儀器軸線與磚塊軸線應(yīng)吻合開鑿孔洞過長時(shí),在儀器尾部應(yīng)另加墊塊
C.加荷的全過程宜為3min~7mim
D.操作剪切儀,應(yīng)勻速施加水平荷載,并應(yīng)直至試件和砌體之間產(chǎn)生相對位移,試件達(dá)到破壞狀態(tài)
3.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法在計(jì)算每個(gè)測位回彈值算術(shù)平均值時(shí),應(yīng)精確到()。
A.0.01
B.0.05
C.0.1
D.0.5
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法在每個(gè)測位內(nèi),測碳化深度時(shí),應(yīng)選擇3處灰縫,鑿出孔洞直徑約為()。
A.5mm
B.10mm
C.15mm
D.20mm
5.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法在每個(gè)彈擊點(diǎn)上,應(yīng)使用回彈儀連續(xù)彈擊(),記錄最后一次回彈值。
A.2次
B.3次
C.4次
D.5次
最新試題
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級位于費(fèi)米能級以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:單項(xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:單項(xiàng)選擇題
下列是晶體的是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題