單項選擇題燒結(jié)磚回彈法相鄰兩彈擊點的間距不應小于（），每一彈擊點應只能彈擊一次。
A.10mm
B.15mm
C.20mm
D.25mm
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1.單項選擇題燒結(jié)磚回彈法在每塊磚的側(cè)面上應均勻布置（）彈擊點，選定彈擊點時應避開磚表面的缺陷。
A.5個
B.6個
C.8個
D.10個
2.單項選擇題原位軸壓法的特點不包括（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)量
B.檢測部位局部破損
C.直觀性，可比性強
D.設備較輕
3.單項選擇題點荷法試件破壞后應拼接成原樣，并測量荷載作用半徑，應精確到（）。
A.0.1mm
B.0.2mm
C.0.5mm
D.1mm
4.單項選擇題砌體結(jié)構(gòu)的檢測內(nèi)容主要有強度和施工質(zhì)量，其中強度不包括（）。
A.塊材強度
B.砂漿強度
C.抹灰強度
D.砌體強度
5.單項選擇題點荷法制備試件，應在砂漿試件上畫出作用點，并應量測其厚度，應精確至（）。
A.0.05mm
B.0.25mm
C.0.5mm
D.0.1mm
最新試題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）
題型：單項選擇題
下列哪個不是單晶常用的晶向（）
題型：單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項選擇題