單項選擇題夾心復合墻的砌筑，拉結(jié)件設置應符合設計要求，拉結(jié)件在葉墻上的擱置長度不應小于葉墻厚度的2/3，并不應小于（）。
A.50mm
B.60mm
C.70mm
D.80mm
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1.單項選擇題配置砌筑砂漿時，各組分材料應采用質(zhì)量計量，水泥及各種外加劑配料的允許偏差為（）。
A.±1%
B.±2%
C.±3%
D.±4%
2.單項選擇題砌筑砂漿應進行配合比設計，當砌體為燒結(jié)普通磚或蒸壓粉煤灰磚砌體時，其砂漿稠度應為（）。
A.70-90
B.50-70
C.60-80
D.30-50
3.單項選擇題扁頂法的特點有（）。
A.屬原位檢測，直接在墻體上測試，測試結(jié)果綜合反映了材料質(zhì)量和施工質(zhì)
B.直觀性，可比性強
C.砌體強度較高或軸向變形較大時，容易測出抗壓強度
D.檢測部位局部破損
4.單項選擇題砌筑基礎前，應校核防線尺寸，長度L或?qū)挾菳≤30m的尺寸允許偏差為（）。
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
5.單項選擇題各種檢測強度的最終計算或推定結(jié)果，砌體的抗壓強度和抗剪強度均應精確至（）。
A.0.01MPa
B.0.05MPa
C.0.1MPa
D.0.5MPa
最新試題
與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）
題型：單項選擇題
對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
改良西門子法的顯著特點不包括（）
題型：單項選擇題
硅片拋光在原理上不可分為（）
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題