A.1萬塊
B.1.5萬塊
C.2萬塊
D.2.5萬塊
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A.開槽釋放應(yīng)力
B.砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C.彈性模量
D.回彈模量
A.70mm
B.80mm
C.90mm
D.100mm
A.±5mm
B.±10mm
C.±15mm
D.±20mm
A.同一墻體的各測點(diǎn)之間，水平方向凈距不應(yīng)小于0.62m，垂直方向凈距不應(yīng)小于0.5m
B.每個(gè)測區(qū)隨機(jī)布置的，n個(gè)測點(diǎn)，在墻體兩面的數(shù)量宜接近或相等。以一塊完整的順磚及其上下兩條水平灰縫作為一個(gè)測點(diǎn)（試件）
C.試件兩個(gè)受剪面的水平灰縫厚度應(yīng)為6～10mm
D.下列部位不應(yīng)布設(shè)測點(diǎn)：門、窗洞口側(cè)邊120mm范圍內(nèi)，后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體；獨(dú)立磚柱和窗間墻
A.3處
B.4處
C.5處
D.6處
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
下列是晶體的是（）。
可用作硅片的研磨材料是（）
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。