A、一個(gè)
B、二個(gè)
C、若干個(gè)
D、三個(gè)
E、以上都不對(duì)
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A、料石檢查產(chǎn)品質(zhì)量證明書
B、石材試驗(yàn)報(bào)告
C、砂漿試塊試驗(yàn)報(bào)告
D、產(chǎn)品使用說(shuō)明書
A.10萬(wàn)
B.8萬(wàn)
C.6萬(wàn)
D.3萬(wàn)
A.7d
B.14d
C.28d
D.36d
A.±20mm
B.±15mm
C.±10mm
D.±5mm
A.3處
B.5處
C.6處
D.10處
最新試題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
PN結(jié)的基本特性是()
下列是晶體的是()。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
硅片拋光在原理上不可分為()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()