對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。