A.應(yīng)鑿掉切制試件頂部一皮磚
B.應(yīng)鑿掉切制試件頂部三皮磚
C.應(yīng)適當(dāng)鑿取試件底部砂漿,并應(yīng)伸進(jìn)撬棍,應(yīng)將水平灰縫撬松動(dòng),然后應(yīng)小心抬出試件
D.試件搬運(yùn)過程中,應(yīng)防止碰撞,并應(yīng)采取減小振動(dòng)的措施
E.需要長距離運(yùn)輸試件時(shí),宜用草繩等材料緊密捆綁試件
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A.外墻轉(zhuǎn)角
B.樓梯間四角
C.縱橫墻交接處
D.窗間墻
E.離墻角400mm處
A、使用手持應(yīng)變儀或千分表在腳標(biāo)上測量砌體變形的初讀數(shù)時(shí),應(yīng)測量3次,并應(yīng)取其平均值
B、開槽時(shí)不應(yīng)操作測點(diǎn)部位的墻體及變形測量腳標(biāo)
C、槽的四周應(yīng)清理平整,并應(yīng)除去灰渣
D、不用待讀數(shù)穩(wěn)定后再進(jìn)行下一步測試工作
A、未能取得同條件養(yǎng)護(hù)試件強(qiáng)度
B、同條件養(yǎng)護(hù)試件強(qiáng)度被判為不合格
C、現(xiàn)場混凝土結(jié)構(gòu)構(gòu)件未按規(guī)定養(yǎng)護(hù)
D、鋼筋保護(hù)層厚度不滿足要求
A.在選擇切割線時(shí),宜選取豎向灰縫上、下對(duì)齊的部位
B.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆2孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
C.應(yīng)將切割機(jī)的鋸片(鋸條)對(duì)準(zhǔn)切割線,并垂直于墻面,然后應(yīng)啟動(dòng)切割機(jī),并應(yīng)在磚墻上切出兩條豎縫
D.切割過程中,切割機(jī)不得偏轉(zhuǎn)和移位,并應(yīng)使鋸片(鋸條)處于連續(xù)水冷卻狀態(tài)
E.應(yīng)在擬切制試件上、下兩端各鉆4孔,并應(yīng)將擬切制試件捆綁牢固
A.機(jī)架應(yīng)有足夠的強(qiáng)度、剛度、穩(wěn)定性
B.切割機(jī)應(yīng)操作靈活,并應(yīng)固定和移動(dòng)方便
C.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于240mm
D.切割機(jī)宜配備水冷卻系統(tǒng)
E.切割機(jī)的鋸切深度不應(yīng)小于370mm
最新試題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列選項(xiàng)中,對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。