A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點(diǎn)荷法和射釘法(貫入法)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過(guò)小
D、砌體質(zhì)量問(wèn)題
A、一般情況下,用理論方法計(jì)算,即計(jì)算至該槽間砌體以上的所有墻體及樓屋蓋荷載標(biāo)準(zhǔn)值
B、樓層上的可變荷載標(biāo)準(zhǔn)值可根據(jù)實(shí)際情況確定,然后換算為壓應(yīng)力值
C、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)壓應(yīng)力值
D、對(duì)于重要的鑒定性試驗(yàn),宜采用實(shí)測(cè)破壞荷載值
A、初裂荷載值
B、初裂抗壓值
C、破壞荷載值
D、破壞荷載值
A、觀測(cè)破壞現(xiàn)象
B、防止出現(xiàn)局壓
C、注意測(cè)點(diǎn)位置
D、偏心
最新試題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
下列是晶體的是()。
硅片拋光在原理上不可分為()