A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m。
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應(yīng)與其他砌筑砂漿強度檢測或砌體抗剪強度檢測一同使用。
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A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
A、塊材強度
B、砂漿強度
C、抹灰強度
D、砌體強度
A、推出法
B、單剪法
C、砂漿片剪法
D、點荷法和射釘法(貫入法)
A.原位軸壓法
B、原位單剪法
C、扁頂法
D、雙剪法
A、基礎(chǔ)不均勻沉降
B、溫度應(yīng)力
C、荷載過小
D、砌體質(zhì)量問題
最新試題
可用作硅片的研磨材料是()
如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
下列是晶體的是()。
PN結(jié)的基本特性是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。