A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br />
D、M15水泥砂漿試塊試壓
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A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C、獨(dú)立磚間墻
D、磚墻上
A、開槽釋放應(yīng)力
B、砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C、砌體原始主應(yīng)力值
D、彈性模量
E、回彈模量
A、主控項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格
B、一般項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格,當(dāng)采用計(jì)數(shù)檢驗(yàn)時(shí),除有專門要求外,一般項(xiàng)目的合格點(diǎn)率應(yīng)達(dá)到80%及以上,且不得有嚴(yán)重缺陷
C、僅隱蔽工程驗(yàn)收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗(yàn)收記錄
A、施工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
B、健全的質(zhì)量管理體系
C、施工質(zhì)量控制
D、質(zhì)量檢驗(yàn)制度
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
可用作硅片的研磨材料是()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。