A.普通磚砌體
B.多孔磚砌體
C.粉煤灰磚砌體
D.空心磚砌體
E.混凝土空心砌塊砌體
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A.收集被檢測(cè)工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料、磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
B.工程建設(shè)時(shí)間
C.進(jìn)一步明確檢測(cè)原因和委托方的具體要求
D.以往工程質(zhì)量檢測(cè)情況
E.檢測(cè)環(huán)境
A.標(biāo)準(zhǔn)
B.型號(hào)
C.產(chǎn)品說(shuō)明書
D.使用時(shí)間
A.計(jì)算
B.分析
C.強(qiáng)度推定
D.采集
E.計(jì)數(shù)
A.現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)
B.委托檢測(cè)
C.見證檢測(cè)
D.抽樣檢測(cè)
A、上水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對(duì)齊,普通磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí),在避免擾動(dòng)四周的砌體;槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體,槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列是晶體的是()。