CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產生光生伏特效應。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

可用作硅片的研磨材料是（）

載流子的擴散運動產生擴散電流，漂移運動產生（）電流。