用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

PN結(jié)的基本特性是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）