填空題砌筑燒結普通磚、燒結多孔磚等砌體時,磚應提前()天適度濕潤,嚴禁采用干磚或處于吸水飽和狀態(tài)的磚砌筑。
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最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
題型:單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
題型:單項選擇題
影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項選擇題
與半導體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量()
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在光線作用下,能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
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那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:單項選擇題
雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中,當溫度升高時,電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
題型:單項選擇題