下列是晶體的是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）