單項(xiàng)選擇題以下不是引起IGBT的發(fā)生擎住效應(yīng)的原因是（）。

A.集電極電流過(guò)大
B.電壓上升率過(guò)大
C.溫度升高
D.電源電壓過(guò)低


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1.單項(xiàng)選擇題以下不是IGBT的管腳名稱(chēng)的是（）。

A.集電極
B.發(fā)射極
C.柵極
D.門(mén)極

2.單項(xiàng)選擇題以下不是IGBT的工作區(qū)域的是（）。

A.正向阻斷區(qū)
B.有源區(qū)
C.負(fù)阻區(qū)
D.飽和區(qū)

3.單項(xiàng)選擇題以下不是MOSFET的管腳名稱(chēng)的是（）。

A.柵極
B.漏極
C.源極
D.基極

4.單項(xiàng)選擇題以下不是MOSFET的工作區(qū)域的是（）。

A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.非飽和區(qū)
D.飽和區(qū)

5.單項(xiàng)選擇題以下不是GTR的管腳名稱(chēng)的是（）。

A.陽(yáng)極
B.發(fā)射極
C.基極
D.集電極極

6.單項(xiàng)選擇題以下不是GTR的工作區(qū)域的是（）。

A.截止區(qū)
B.放大區(qū)
C.負(fù)阻區(qū)
D.飽和區(qū)

7.單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)不是常用的交流調(diào)壓方式？（）

A.通斷控制
B.移相控制
C.斬波控制
D.逆變控制

8.單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)不是電壓型逆變電路的特點(diǎn)？（）

A.直流側(cè)串聯(lián)大電感
B.輸出電壓為矩形波
C.直流側(cè)并聯(lián)大電容
D.晶閘管兩端需要并聯(lián)二極管

9.單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)不是電流型逆變電路的特點(diǎn)？（）

A.直流側(cè)串聯(lián)大電感
B.輸出電流為矩形波
C.直流側(cè)并聯(lián)大電容
D.晶閘管兩端不需要并聯(lián)二極管

10.單項(xiàng)選擇題以下哪個(gè)不是光伏電路主動(dòng)檢測(cè)方式？（）

A.頻率偏移檢測(cè)
B.電壓相位跳躍檢測(cè)
C.有功功率變動(dòng)檢測(cè)
D.負(fù)載變動(dòng)檢測(cè)