下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

硅片拋光在原理上不可分為（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結會產(chǎn)生光生伏特效應。